图:台积电18日宣布,推迟其在美国亚利桑那州的第二座工厂投产时间至2027年。图为位于亚利桑那州的台积电厂房。
华夏经纬网1月23日讯:据香港《大公报》综合外媒报道,台湾芯片代工企业台积电18日表示,将推迟其在美国亚利桑那州建设的两家半导体工厂中第二座工厂的投产时间。此外,该工厂能够生产的芯片类型也存在不确定性。这意味着在美生产3纳米芯片遥遥无期。分析认为,这与当地熟练工人短缺,以及获得美国政府资金补助数额的谈判艰难密切相关。受访专家则表示,台积电的市场主要在大陆,投资大陆才是台湾资本最好出路。
美国《华尔街日报》19日援引台积电董事长刘德音本周四在一场新闻发布会上的话称,台积电耗资约400亿美元的亚利桑那州项目在实现其量产时间表等目标上遇到了挑战。2022年12月,台积电曾称其在该州的第二座工厂计划于2026年开始生产3纳米芯片。但刘德音称,现在该工厂的量产时间表预计将延后至2027年或2028年,且具体的芯片类型尚未确定,将受到客户需求和政府激励措施的影响。
美国“彭博社”称,这是对拜登政府推动在美国本土制造关键零部件计划的又一打击。台积电去年7月曾宣布,由于缺乏高技能工人且成本走高,其在美国亚利桑那州的第一座工厂延迟量产,如今预计2025年上半年才开始量产4纳米芯片,比原计划的2024年要晚。
据“彭博社”报道,此前台积电曾表示,将在亚利桑那州二厂生产更为先进的3纳米制程芯片。但在18日的法人说明会上,台积电强调,美国政府的激励措施将决定制程技术的先进程度。这番说法为该投资计划的最终结果带来不确定性。刘德音说,公司正持续与美国政府讨论激励措施和税收减免等,他并重申台积电在亚利桑那州招聘方面所面临的挑战,公司正为此持续与当地工会沟通。报道称,台积电第二座芯片厂量产可能因上述问题推迟长达两年,而两年时间足以让半导体技术升级换代。
在美投资充满不确定性
美国总统拜登签署通过“芯片与科学法案”已超过一年。这项法案旨在为在美国投资设厂的半导体制造商提供数以百亿美元的补贴。不过,美国政府迄今未向台积电或英特尔等芯片巨头发放任何补贴。相较之下,台积电宣布计划在日本兴建一家规模较小的工厂后,目前已获得日本政府的资金。据悉,这座工厂有望在今年稍晚投入生产。
厦门大学两岸关系和平发展协同创新中心经济平台主任李非教授向《大公报》表示,台积电赴美建厂面临的困境主要包括商业机密问题、人才紧缺和工作制度冲突等问题。这些困境使得台积电在美国建厂的过程中面临诸多挑战和不确定性。
李非表示,台积电的市场主要在大陆,台积电为了配合美国的政策需要,牺牲自身利益来围堵大陆,此举不符合企业的市场效益,必然会让自身陷入困境。他指出,投资大陆是台湾资本最好的出路。当前,大陆自主产业链的发展是台积电需要面对的挑战之一。大陆鼓励本土芯片产业的发展,台积电应该要重新审视自己的战略,与大陆企业合作,实现市场技术和份额的双重整合,以在大陆市场拓展中获得更多的支持和机会。
岛内学者李正圻也认为,台积电必须寻找新的市场机会并回到大陆市场寻求发展,和大陆市场保持紧密联系也是给公司在未来创造一个另外的选项,可以让台积电获得市场机遇,重新获得自主控制权和话语权。
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